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SBT20100VDC,SBT20150VDC,SBT2060VDC,SBT2045VDC,ASEMI低压降贴片肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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SBT20100VICT,SBT20150VICT,SBT2060VICT,SBT2045VICT, ASEMI低压降肖特基管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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BD20100CT,BD20200CT,BD20150CT,BD2060CT,BD2045CT, ASEMI肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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BD20100CS,BD20200CS,BD20150CS,BD2060CS,BD2045CS, ASEMI贴片肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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MBR20100DC,MBR20150DC,MBR20200DC,MBR2060DC,MBR2045DC,ASEMI肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
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●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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SB20100LFCT,SB2060LFCT,SB2045LFCT, SB20150LFCT, ASEMI低压降肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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SBT20100VFCT,SBT2060VFCT,SBT2045VF,SBT20150VFCT, ASEMI低压降肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
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SB20100LCT,SB2060LCT,SB2045LCT,SB20150LCT, ASEMI低压降肖特基二极管
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●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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SBT20100VCT,SBT2060VCT,SBT2045VCT,SBT20150VCT, ASEMI低压降肖特基二极管
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●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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MBR20200FCT,MBR20150FCT,ASEMI肖特基二极管,高压大电流肖特基定位中高端品质,MBR20200FCT
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
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●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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MBR20200CT,MBR20150CT,MBR20100CT,MBR2060CT,MBR2045CT ASEMI肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
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