肖特基二极管

不是所有的二极管都叫肖特基,
也不是所有的肖特基都是ASEMI
低功耗 | 大电流 | 超高速

正向电压降小,无存储电荷

适合:低压高频整流

击穿隔离,漏电消失

硅接触势垒工艺

一般采用金属—半导体接触来形成肖特基势垒,但是由于金属与半导体接触时,接触界面之间SiO2层的存在,使得接触电阻和表面态密度明显增大,致使器件的性能大大降低

我们采用了扩散势垒和多层金属化技术,为了提高反向性能,采用了保护环结构等新工艺技术

宽“S”形弯曲触须
压力接触的镀金上引线

为减小封装串联电阻,降低正向压降,尽量加大了引线与芯片的接触面积

轴向引线,壳体透明,体积小、重量轻、可靠性高

符合GB7581《半导体分立器件外形尺寸》的标准要求

溅射和退火
关键工艺解决方案

达到最佳势垒金属厚度和形成最佳表面,使管芯获得最好的电参数性能及较高的成品率

封装前对芯片进行100%的镜检,剔除有缺陷的芯片

品牌旗下肖特基二极管成员
8
8大系列产品

适用广泛

10
10大封装工艺

品质保障

78
20道工艺流程

精益求精

198
198种规格型号

供您挑选

20
Process flows

道工艺流程

1.投片打标

2.清洗氧化

3.OAP以及匀胶

4.光刻曝光,显影,后拱

5.坚膜,腐蚀

6.坚膜,注入

7.去胶

8.B推结,氧化形成P+隔离

9.光刻,刻引线孔

10.清洗P-注入前氧化

11.P-注入提高电压
降低漏电流

12.漂酸去掉引线孔氧化层

13.清洗蒸CR

14.合金形成合金势垒

15.扒CR

16.清洗蒸发,蒸发铝

17.反刻铝

18.背面减薄

19.清洗漂酸背面金属化

20.成型测试

肖特基势垒的
反向抗烧毁能力

高温下检查反向漏电特性,并对样品进行破坏性物理实验

硬击穿特性曲线,常温漏电流极小,为0.2—0.3mA

200mA击穿电流下,特性曲线稳定,不出现漏电流变大,
曲线变软以及蠕变沟道、鼓泡、穿通等失效模式

肖特基二极管5大特点
正向压

降低

击穿特性

稳定

漏电

反向恢复

时间短

能承受大的

浪涌电流

选择 品牌
请认准包装

印刷精美,包装严实

纸板厚实,更好地保护产品

ASEMI标志,品质保障

肖特基二极管广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路,作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用,或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。欢迎咨询 取样测试。

取样测试,选型咨询