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【ES5J-SMC】ES5JC/ES5DC/ES5EC/ES5GC/ES5KC/ES5MC ASEMI超快恢复二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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SR1100/SR1200/SR1150/SR180/SR160/SR140, ASEMI肖特基二极管 DO-41轴向二极管插件
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用丝印打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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1N5819/1N5818/1N5817, ASEMI肖特基二极管 DO-41轴向二极管 插件小封装
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用丝印打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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【ES3J-SMC】ES3JC/ES3KC/ES3DC/ES3EC/ESGC/ES3NC ASEMI超快恢复二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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(SS210-SMB) SS210B/SS215B/SS220B/SS28B/SS26B/SS24B, ASEMI肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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(SS610-SMB) SS610B/SS615B/SS620B/SS68B/SS66B/SS64B ASEMI肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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(SS510-SMB) SS510B/SS515B/SS520B/SS58B/SS56B/SS54B ASEMI肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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(SS310-SMB) SS310B/SS315B/SS320B/SS38B/SS36B/SS34B ASEMI肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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RL257/RL256/RL255/RL254/RL253 ASEMI轴向插件整流二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用丝印打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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FR257/FR256/FR255/FR254/FR253 ASEMI快速恢复二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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1A7/1A8/1A9/1A6/1A5/1A4 ASEMI高压整流二极管 轴向整流二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用丝印打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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1N4007/1N4006/1N4005/1N4004/1N4003, ASEMI整流二极管 DO-41轴向二极管 插件封装
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用丝印打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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FR107/FR106//FR105/FR104/FR103/FR102, ASEMI快速恢复二极管 DO-41轴向二极管 插件
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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HER108/HER107/HER106/HER105/HER104, ASEMI高效恢复二极管 DO-41轴向二极管 插件封装
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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SF18//SF17/SF16/SF15/SF14/SF13/SF12, ASEMI超快恢复二极管 DO-41轴向二极管 插件
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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MUR1100/MUR180/MUR160/MUR140/MUR120, ASEMI超快恢复二极管 DO-41轴向二极管插件封装
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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【SS310-SMBF】SS310BF/SS315BF/SS320BF/SS36BF/SS34BF ASEMI贴片肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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【SS210-SMBF】SS210BF/SS215BF/SS220BF/SS26BF/SS24BF ASEMI肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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(ES5J-SMB)ES5JB/ES5GB/ES5DB/ES5KB/ES5MB, ASEMI超快恢复二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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(ES3J-SMB)ES3JB/ES3GB/ES3DB/ES3KB/ES3MB, ASEMI超快恢复二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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