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(SK34B-SMB) SK36B/SK38B/SK310B/SK315B/SK320B ASEMI肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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(SK24B-SMB) SK26B/SK28B/SK210B/SK215B/SK220B/SK24B,ASEMI贴片肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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(SK14B-SMB) SK16B/SK18B/SK110B/SK115B/SK120B/SK14B,ASEMI贴片肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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(SS610BL-SMB) SS610BL/SS615BL/SS68BL/SS66BL/SS64BL ASEMI低压肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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(SS510BL-SMB) SS510BL/SS515BL/SS56BL/S54BL, ASEMI低压降肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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(SS310BL-SMB) SS310BL/SS315BL/SS36BL/S34BL, ASEMI低压降肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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(SS210BL-SMB) SS210BL/SS215BL/SS26BL/SS24BL, ASEMI低压降肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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(SK510A-SMA)SK510A/SK515A/SK520A/SK58A/SK56A/SK54A ASEMI肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用丝印打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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(SK310A-SMA)SK310A/SK315A/SK320A/SK38A/SK36A/SK34A ASEMI肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用丝印打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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(SK210A-SMA)SK210A/SK215A/SK220A/SK28A/SK26A/SK24A ASEMI肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用丝印打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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(SK110A-SMA)SK110A/SK115A/SK120A/SK18A/SK16A/SK14A ASEMI肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用丝印打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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SFF2004A/SFFF2002A/SFF2006A/SFF2008A/SFF2010A ASEMI肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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MBR16200FCT/MBR16150FCT/MBR16100FCT/MBR1660FCT ASEMI肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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MBR16200CT/MBR16150CT/MBR16100CT/MBR1660CT ASEMI肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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MBR15200FAC/MBR15150FAC/MBR15100FAC/MBR15100FAC ASEMI肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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MBR15200AC/MBR15150AC/MBR15100AC/MBR1560AC ASEMI肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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10U45.10U60.10U100,ASEMI低压降肖特基二极管,贴片小封装适用手机快充电器的高标准配置 10U45
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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1N5822/1N5821/1N5820 ASEMI肖特基二极管 DO-41轴向二极管插件
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用丝印打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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(S4-SOD123) S4/S3/S2, ASEMI肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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SB40100LCT,SB4045LCT,SB4060LCT,ASEMI低压降肖特基二极管 大电流大功率低压降肖特基
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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