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SF1606A,SF1604A,SF1602A,SF1608A, ASEMI超快恢复二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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SF806A,SF804A,SF802A,SF808A,SF810A, ASEMI超快恢复二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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SF1006A,SF1004A,SF1002A,SF1008A, ASEMI超快恢复二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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10V45,10V60,10V100，ASEMI低压降肖特基二极管，贴片小封装适用手机快充电器的标准配置 ER10V45GY
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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15V45,15V60,15V100,ER15V45GY,ER15V60GY,ER15V100GY, ASEMI低压降二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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20V45,20V60,20V100,ER20V45GY,ER20V60GY,ER20V100GY, ASEMI低压降二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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PS2045L,PS2060L,PS20100L, ASEMI低压降肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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MBR10200FAC,MBR10100FAC,MBR10150FAC,MBR1060/1045FAC, ASEMI肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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MUR1660AC,MUR1640AC,MUR1620AC,MUR1680AC, ASEMI超快恢复二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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MUR1060AC,MUR1040AC,MUR1020AC,MUR1080AC,MUR10100AC ASEMI超快恢复二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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MUR860AC,MUR840AC,MUR820AC,MUR880AC, MUR8100AC, ASEMI超快恢复二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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SFF1006A,SFF1004A,SFF1002A,SFF1008A, ASEMI快恢复二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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SFF806A,SFF804A,SFF802A，ASEMI快恢复二极管，高耐压超快恢复时间,86mil芯片高标准 SFF806A
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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MURF1660AC,MURF1640AC,MURF1620AC,MURF1680AC, ASEMI快恢复二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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MURF1060AC,MURF1040AC,MURF1020AC,MURF1080AC,MUR10100 ASEMI快恢复二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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SFF1606A,SFF1604A,SFF1602A,SFF1608A, ASEMI快恢复二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
-
MURF860AC,MURF840AC,MURF820AC,MURF880AC,MURF8100AC, ASEMI快恢复二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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MBR10200AC,MBR10100AC,MBR10150AC,MBR1040/45/60AC, ASEMI肖特基二极管2只脚
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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MBR40100DC,MBR4060DC,MBR4045DC,ASEMI肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
-
MBR10100DC,MBR10150DC,MBR10200DC,MBR1060DC,MBR1045DC,ASEMI肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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