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CL08-RG210-ASEMI高压二极管0.5A 8000V
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用丝印打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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SF506DS-ASEMI贴片快恢复二极管5A 600V
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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MURD560-ASEMI贴片快恢复二极管5A 600V
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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APT80DQ60BG/APT80DQ40BG/APT80DQ20BG/APT80DQ120BG-ASEMI超快恢复二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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APT30DQ60BG/APT30DQ40BG/APT30DQ20BG/APT30DQ120BG-ASEMI超快恢复二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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APT60DQ60BG/APT60DQ40BG/APT60DQ20BG/APT60DQ120BG-ASEMI超快恢复二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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GMK15100-ASEMI光伏二极管GMK15100
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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GMK10100-ASEMI光伏二极管GMK10100
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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GMK6050-ASEMI光伏二极管GMK6050
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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GMK5050-ASEMI光伏二极管GMK5050
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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GMK5045-ASEMI光伏逆变器二极管GMK5045
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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GMK4050-ASEMI光伏二极管GMK4050
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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MUR20100DC,MUR2080DC,MUR2060DC,ASEMI贴片TO-263封装快恢复二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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MUR20100DCR,MUR2080DCR,MUR2060DCR,ASEMI共阳快恢复二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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MUR8060PT,MUR8040PT,MUR80100PT,MUR80120PT,ASEMI高压快恢复二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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GMK6045-ASEMI光伏逆变器二极管GMK6045
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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GMK4045-ASEMI光伏逆变器二极管GMK4045
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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GMK3045-ASEMI光伏逆变器二极管30A 45V
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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6N65-ASEMI高效场效应管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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RL257/RL256/RL255/RL254/RL253 ASEMI整流二极管DO-15封装
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用丝印打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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