ASEMI整流桥测量方法

ASEMI整流桥作为电源组成部分中的基础元器件,对成品电源的重要性不言而喻。可以说,一款高品质的电源产品离不开一款好性能的整流桥器件。

那么如果整流桥在使用中坏了，该如何检修检测呢?那么下面，ASEMI工程师将通过以下2种方法讲解,教会您如何测量整流桥的好坏。

01

电阻测试法

电阻测试法是利用二极管的单向导通特性，测试其正向有电阻读值与反向截止无读值来判断其是否好坏,这套测量整流桥的好坏方法是很常见的一种。

测试工具与对象：一台正常的万用表与一款待判断的整流桥。

测试条件设定：万用表打到20K欧姆档位，红笔万用表正极，黑笔万用表负极。

测试方法与步骤为：红笔接整流桥负极,黑笔分别接两个交流脚位,若均有读值显示则说明负极与交流之间的两颗芯片正常;黑笔接整流桥正极,红笔分别探测两个交流脚位，若均有读值显示则表明整流桥正极与交流间的两颗芯片为正常。

测试结果总结：

若测试过程中结果反馈如上所述,则表示该整流桥4颗芯片均正常，万用表读值为该测试芯片的内阻值;若出现非一致的情况，比如数值为1(极值)则说明整流桥中该颗芯片已经损坏。

02

压降测试法

压降测试法是利用万用表二极管档位直接测试整流桥内部二极管芯片的方法，读值为压降的参考值或近似值。测试方法与电阻测试法大致类似,也是很常见的一种测量整流桥好坏的方法。

测试工具与对象：一台万用表与一款待判断的整流桥产品。

测试条件设定：万用表打到二极管档位，红笔万用表正极，黑笔万用表负极。

测试方法与步骤为：红笔接整流桥负极，黑笔接整流桥正极，此时测试结果为整个整流桥的压降参考值;如需分别测试每颗芯片的压降值，则方法为黑笔接整流桥正极,红笔分别探测两个交流脚位;红笔接整流桥负极,黑笔分别探测两个交流脚位，此时所测结果为内部独立二极管芯片的压降参数值。

测试结果总结：

上述测试结果为该整流桥内部二极管芯片压降的参考值，有示数说明该芯片正常，可以辅助判断整流桥通断与好坏情况。如有非一致的情况出现，比如数值为1(极值)则说明整流桥中该颗芯片已经损坏。

上述就是ASEMI工程师有关如何测量整流桥的好坏，2种主流方法的详细介绍，仅供参考，希望对大家有所帮助。